品牌： Renesas Electronics America Inc

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： 5 NPN

电压 - 集射极击穿（最大值）： 12V

频率 - 跃迁： 8GHz

噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）： 3.5dB 1GHz

增益： -

功率 - 最大值： 150mW

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 40 10mA，2V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 65mA

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 16-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

供应商器件封装： 16-SOIC

温度： 150°C（TJ）