品牌： Renesas Electronics America Inc

包装： -

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： 3 NPN + 2 PNP

电压 - 集射极击穿（最大值）： 12V，15V

频率 - 跃迁： 8GHz，5.5GHz

噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）： 3.5dB 1GHz

增益： -

功率 - 最大值： 150mW

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 40 10mA，2V / 20 10mA，2V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 65mA

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 16-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

供应商器件封装： 16-SOIC

温度： 150°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： 16-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

Mounting Type： Surface Mount

Transistor Type： 3 NPN + 2 PNP

Operating Temperature： 150°C (TJ)

Gain： -

Power - Max： 150mW

Current - Collector (Ic) (Max)： 65mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 8V

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 40 @ 10mA, 2V, 20 @ 10mA, 2V

Frequency - Transition： 8GHz, 5.5GHz

Noise Figure (dB Typ @ f)： 3.5dB @ 1GHz

Supplier Device Package： 16-SOIC

Part Status： Active

品牌： Renesas Electronics America Inc

包装： -

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

晶体管类型： 3 NPN + 2 PNP

电压 - 集射极击穿（最大值）： 12V，15V

频率 - 跃迁： 8GHz，5.5GHz

噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）： 3.5dB 1GHz

增益： -

功率 - 最大值： 150mW

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 40 10mA，2V / 20 10mA，2V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 65mA

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 16-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

供应商器件封装： 16-SOIC

温度： 150°C（TJ）