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HBDM60V600W-7_双极晶体管预偏置
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TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363

双极晶体管预偏置

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¥5.867944

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¥4.392763

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¥3.901035

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¥3.616926

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

晶体管类型: NPN,PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500mA,600mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 65V,60V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 10mA, 100mA, 500mV 50mA, 500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 100mA,1V / 100 150mA,10V

功率 - 最大值: 200mW

频率 - 跃迁: 100MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: SOT-363

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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HBDM60V600W-7_双极晶体管预偏置
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TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363

双极晶体管预偏置

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¥1.144297

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¥1.022208

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

晶体管类型: NPN,PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500mA,600mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 65V,60V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 10mA, 100mA, 500mV 50mA, 500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 100mA,1V / 100 150mA,10V

功率 - 最大值: 200mW

频率 - 跃迁: 100MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: SOT-363

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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HBDM60V600W-7_未分类
HBDM60V600W-7
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TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363

未分类

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¥25.696277

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

晶体管类型: NPN,PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500mA,600mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 65V,60V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 10mA, 100mA, 500mV 50mA, 500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 100mA,1V / 100 150mA,10V

功率 - 最大值: 200mW

频率 - 跃迁: 100MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: SOT-363

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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HBDM60V600W-7_双极晶体管预偏置
HBDM60V600W-7
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TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363

双极晶体管预偏置

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

晶体管类型: NPN,PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500mA,600mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 65V,60V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 10mA, 100mA, 500mV 50mA, 500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 100mA,1V / 100 150mA,10V

功率 - 最大值: 200mW

频率 - 跃迁: 100MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: SOT-363

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
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TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363

双极晶体管预偏置

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

晶体管类型: NPN,PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500mA,600mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 65V,60V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 10mA, 100mA, 500mV 50mA, 500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 100mA,1V / 100 150mA,10V

功率 - 最大值: 200mW

频率 - 跃迁: 100MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: SOT-363

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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HBDM60V600W-7_双极晶体管预偏置
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TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363

双极晶体管预偏置

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

晶体管类型: NPN,PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500mA,600mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 65V,60V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 10mA, 100mA, 500mV 50mA, 500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 100mA,1V / 100 150mA,10V

功率 - 最大值: 200mW

频率 - 跃迁: 100MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: SOT-363

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363

双极晶体管预偏置

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供应商器件封装: SOT-363

HBDM60V600W-7_双极晶体管预偏置
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TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363

双极晶体管预偏置

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供应商器件封装: SOT-363

Mouser
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HBDM60V600W-7_未分类
HBDM60V600W-7
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TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363

未分类

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

晶体管类型: NPN,PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500mA,600mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 65V,60V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 10mA, 100mA, 500mV 50mA, 500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 100mA,1V / 100 150mA,10V

功率 - 最大值: 200mW

频率 - 跃迁: 100MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: SOT-363

温度: -55°C # 150°C(TJ)

HBDM60V600W-7_未分类
HBDM60V600W-7
授权代理品牌

雙極結晶體管 - BJT

未分类

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

HBDM60V600W-7参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
晶体管类型: NPN,PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500mA,600mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 65V,60V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 10mA, 100mA, 500mV 50mA, 500mA
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 100mA,1V / 100 150mA,10V
功率 - 最大值: 200mW
频率 - 跃迁: 100MHz
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装: SOT-363
温度: -55°C # 150°C(TJ)