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搜索 HN1B04FE-GR,LF9 条相关记录
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HN1B04FE-GR,LF_双极晶体管预偏置
HN1B04FE-GR,LF
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¥2.036672

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¥1.171038

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¥1.018336

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN,PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 10mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 2mA,6V

功率 - 最大值: 100mW

频率 - 跃迁: 80MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: ES6

温度: 150°C(TJ)

自营 现货库存
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HN1B04FE-GR,LF_未分类
HN1B04FE-GR,LF
授权代理品牌

TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6

未分类

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN,PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 10mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 2mA,6V

功率 - 最大值: 100mW

频率 - 跃迁: 80MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: ES6

温度: 150°C(TJ)

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HN1B04FE-GR,LF_双极晶体管预偏置
授权代理品牌
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN,PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 10mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 2mA,6V

功率 - 最大值: 100mW

频率 - 跃迁: 80MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: ES6

温度: 150°C(TJ)

自营 国内现货
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HN1B04FE-GR,LF_双极晶体管预偏置
授权代理品牌
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¥0.171981

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN,PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 10mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 2mA,6V

功率 - 最大值: 100mW

频率 - 跃迁: 80MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: ES6

温度: 150°C(TJ)

Digi-Key
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HN1B04FE-GR,LF_双极晶体管预偏置
授权代理品牌
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¥0.510974

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+12000:

¥0.432798

+20000:

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN,PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 10mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 2mA,6V

功率 - 最大值: 100mW

频率 - 跃迁: 80MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: ES6

温度: 150°C(TJ)

HN1B04FE-GR,LF_双极晶体管预偏置
授权代理品牌
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¥0.890379

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: SOT-563, SOT-666

供应商器件封装: ES6

HN1B04FE-GR,LF_双极晶体管预偏置
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¥3.671664

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¥2.218297

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¥1.375344

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¥1.009402

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¥0.890379

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: SOT-563, SOT-666

供应商器件封装: ES6

Mouser
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HN1B04FE-GR,LF_未分类
HN1B04FE-GR,LF
授权代理品牌

TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6

未分类

+1:

¥3.979908

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¥2.404529

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¥1.094475

+1000:

¥0.795981

+4000:

¥0.547238

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN,PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 10mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 2mA,6V

功率 - 最大值: 100mW

频率 - 跃迁: 80MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: ES6

温度: 150°C(TJ)

艾睿
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HN1B04FE-GR,LF_未分类
HN1B04FE-GR,LF
授权代理品牌

Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 100mW 6-Pin ES T/R

未分类

+4000:

¥0.594348

+8000:

¥0.588157

+12000:

¥0.583513

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¥0.577323

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货期:7~10 天

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HN1B04FE-GR,LF参数规格

属性 参数值
品牌: Toshiba Semiconductor and Storage
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: NPN,PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 150mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 250mV 10mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 2mA,6V
功率 - 最大值: 100mW
频率 - 跃迁: 80MHz
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-563,SOT-666
供应商器件封装: ES6
温度: 150°C(TJ)