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HP8KA1TB_射频晶体管
HP8KA1TB
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 30V 14A HSOP8

射频晶体管

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¥2.399914

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¥2.000009

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¥1.599983

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¥1.333299

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

FET 类型: 2 N-Channel (Dual)

FET 功能: Logic Level Gate

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 14A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 5mOhm 14A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 10mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 24nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2550pF 15V

功率 - 最大值: 3W

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: 8-HSOP

温度: 150°C (TJ)

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HP8KA1TB_射频晶体管
HP8KA1TB
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MOSFET 2N-CH 30V 14A HSOP8

射频晶体管

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¥0.953077

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¥0.90303

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

FET 类型: 2 N-Channel (Dual)

FET 功能: Logic Level Gate

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 14A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 5mOhm 14A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 10mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 24nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2550pF 15V

功率 - 最大值: 3W

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: 8-HSOP

温度: 150°C (TJ)

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HP8KA1TB_null
HP8KA1TB
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 30V 14A HSOP8

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¥13.164912

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¥7.609248

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¥4.824288

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

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系列:

零件状态: Active

FET 类型: 2 N-Channel (Dual)

FET 功能: Logic Level Gate

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 14A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 5mOhm 14A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 10mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 24nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2550pF 15V

功率 - 最大值: 3W

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: 8-HSOP

温度: 150°C (TJ)

Digi-Key
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HP8KA1TB_射频晶体管
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MOSFET 2N-CH 30V 14A HSOP8

射频晶体管

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¥6.879308

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货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

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零件状态: Active

FET 类型: 2 N-Channel (Dual)

FET 功能: Logic Level Gate

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 14A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 5mOhm 14A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 10mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 24nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2550pF 15V

功率 - 最大值: 3W

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: 8-HSOP

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¥16.632825

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¥13.604799

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¥10.583879

+500:

¥8.970638

+1000:

¥7.307638

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: 8-HSOP

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射频晶体管

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系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-PowerTDFN

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Mouser
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MOSFET 2N-CH 30V 14A HSOP8

晶体管

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¥19.013734

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¥15.55226

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¥12.107036

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¥10.254416

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¥8.353042

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

FET 类型: 2 N-Channel (Dual)

FET 功能: Logic Level Gate

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 14A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 5mOhm 14A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 10mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 24nC 4.5V

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功率 - 最大值: 3W

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

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HP8KA1TB参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: Active
FET 类型: 2 N-Channel (Dual)
FET 功能: Logic Level Gate
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 14A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 5mOhm 14A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 24nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2550pF 15V
功率 - 最大值: 3W
工作温度: 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商器件封装: 8-HSOP
温度: 150°C (TJ)