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搜索 HS8K1TB 共 8 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HS8K1TB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	30V NCH+NCH POWER MOSFET 下载数据手册射频晶体管	+1：￥23.638439 +200：￥19.6988 +500：￥15.75904 +1000：￥13.132493	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Ta），11A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14.6mOhm 10A，10V，11.8mOhm 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6nC 10V，7.4nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 348pF 15V，429pF 15V 功率 - 最大值： 2W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装： HSML3030L10 温度： 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HS8K1TB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	30V NCH+NCH POWER MOSFET 下载数据手册未分类	+1：￥5.401929 +200：￥2.089323 +500：￥2.02437 +1000：￥1.981068	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Ta），11A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14.6mOhm 10A，10V，11.8mOhm 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6nC 10V，7.4nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 348pF 15V，429pF 15V 功率 - 最大值： 2W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装： HSML3030L10 温度： 150°C（TJ）

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	HS8K1TB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	30V NCH+NCH POWER MOSFET 下载数据手册未分类	+3000：￥1.701093 +9000：￥1.631379 +15000：￥1.603449	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Ta），11A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14.6mOhm 10A，10V，11.8mOhm 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6nC 10V，7.4nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 348pF 15V，429pF 15V 功率 - 最大值： 2W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装： HSML3030L10 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HS8K1TB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	30V NCH+NCH POWER MOSFET 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥1.961073	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Ta），11A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14.6mOhm 10A，10V，11.8mOhm 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6nC 10V，7.4nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 348pF 15V，429pF 15V 功率 - 最大值： 2W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装： HSML3030L10 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HS8K1TB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	30V NCH+NCH POWER MOSFET 下载数据手册射频晶体管	+3000：￥4.797303	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Ta），11A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14.6mOhm 10A，10V，11.8mOhm 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6nC 10V，7.4nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 348pF 15V，429pF 15V 功率 - 最大值： 2W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装： HSML3030L10 温度： 150°C（TJ）
	HS8K1TB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	30V NCH+NCH POWER MOSFET 下载数据手册射频晶体管	+1：￥12.378685 +10：￥10.915749 +100：￥8.371086 +500：￥6.61697 +1000：￥5.293575	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-UDFN Exposed Pad 供应商器件封装： HSML3030L10
	HS8K1TB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	30V NCH+NCH POWER MOSFET 下载数据手册射频晶体管	+1：￥12.378685 +10：￥10.915749 +100：￥8.371086 +500：￥6.61697 +1000：￥5.293575	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-UDFN Exposed Pad 供应商器件封装： HSML3030L10

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HS8K1TB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	30V NCH+NCH POWER MOSFET 下载数据手册未分类	+1：￥14.150634 +10：￥12.478287 +100：￥9.567757 +500：￥7.573805 +1000：￥6.06226	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Ta），11A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14.6mOhm 10A，10V，11.8mOhm 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6nC 10V，7.4nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 348pF 15V，429pF 15V 功率 - 最大值： 2W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装： HSML3030L10 温度： 150°C（TJ）

HS8K1TB参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	标准
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	10A（Ta），11A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	14.6mOhm 10A，10V，11.8mOhm 11A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	6nC 10V，7.4nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	348pF 15V，429pF 15V
功率 - 最大值:	2W（Ta）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-UDFN 裸露焊盘
供应商器件封装:	HSML3030L10
温度:	150°C（TJ）