封装/外壳： SOT-23

正向浪涌电流Ifsm： 60A

反向峰值电压Vrrm： 600V

反向电压Vr： 600V

正向电流If： 8A

正向电压Vf： 1.7V

反向漏电流Ir： 5uA

反向恢复时间Trr： 55ns

工作温度： -55℃~150℃

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： HEXFRED®

零件状态： 停产

二极管类型： 标准

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 600 V

电流 - 平均整流 (Io)： 8A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 8 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 55 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 600 V

不同 Vr、F 时电容： -

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-220-2

供应商器件封装： TO-220AC

工作温度 - 结： -55°C # 150°C

温度：

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： HEXFRED®

零件状态： 停产

二极管类型： 标准

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 600 V

电流 - 平均整流 (Io)： 8A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 8 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 55 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 600 V

不同 Vr、F 时电容： -

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-220-2

供应商器件封装： TO-220AC

工作温度 - 结： -55°C # 150°C

温度：

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： HEXFRED®

零件状态： 停产

二极管类型： 标准

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 600 V

电流 - 平均整流 (Io)： 8A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.7 V 8 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 55 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 600 V

不同 Vr、F 时电容： -

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-220-2

供应商器件封装： TO-220AC

工作温度 - 结： -55°C # 150°C

温度：