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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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HN4D02JU(TE85L,F) 授权代理品牌 | +1: ¥5.45718 +10: ¥4.202029 +100: ¥2.387517 +500: ¥1.582582 +1000: ¥1.214223 |
HN4D02JU(TE85L,F)参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Toshiba Semiconductor and Storage |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | 在售 |
二极管配置: | 1 对共阴极 |
二极管类型: | 标准 |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): | 80 V |
电流 - 平均整流 (Io)(每二极管): | 100mA |
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): | 1.2 V 100 mA |
速度: | 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 |
反向恢复时间 (trr): | 1.6 ns |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: | 500 nA 80 V |
工作温度 - 结: | 150°C(最大) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353 |
供应商器件封装: | USV |
温度: |