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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
HN2D03F(TE85L,F)_二极管阵列整流器
授权代理品牌

DIODE ARRAY GP 400V 100MA SM6

二极管阵列整流器

+1:

¥5.848898

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管配置: 3 个独立式

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 400 V

电流 - 平均整流 (Io)(每二极管): 100mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.3 V 100 mA

速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度

反向恢复时间 (trr): 500 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 µA 400 V

工作温度 - 结: 150°C(最大)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-74,SOT-457

供应商器件封装: SM6

温度:

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
HN2D03F(TE85L,F)_二极管阵列整流器
授权代理品牌

DIODE ARRAY GP 400V 100MA SM6

二极管阵列整流器

+3000:

¥2.81801

+6000:

¥2.67471

+9000:

¥2.483689

+30000:

¥2.42637

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管配置: 3 个独立式

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 400 V

电流 - 平均整流 (Io)(每二极管): 100mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.3 V 100 mA

速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度

反向恢复时间 (trr): 500 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 µA 400 V

工作温度 - 结: 150°C(最大)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-74,SOT-457

供应商器件封装: SM6

温度:

HN2D03F(TE85L,F)_二极管阵列整流器
授权代理品牌

DIODE ARRAY GP 400V 100MA SM6

二极管阵列整流器

+1:

¥8.311446

+10:

¥7.150709

+100:

¥4.966805

+500:

¥3.878292

+1000:

¥3.152331

库存: 0

货期:7~10 天

包装: Cut Tape (CT) Alternate Packaging

系列: -

工作温度-结: 150°C (Max)

封装/外壳: SC-74, SOT-457

供应商器件封装: SM6

HN2D03F(TE85L,F)_二极管阵列整流器
授权代理品牌

DIODE ARRAY GP 400V 100MA SM6

二极管阵列整流器

+1:

¥8.311446

+10:

¥7.150709

+100:

¥4.966805

+500:

¥3.878292

+1000:

¥3.152331

库存: 0

货期:7~10 天

包装: Digi-Reel® Alternate Packaging

系列: -

工作温度-结: 150°C (Max)

封装/外壳: SC-74, SOT-457

供应商器件封装: SM6

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
HN2D03F(TE85L,F)_二极管与整流器
HN2D03F(TE85L,F)
授权代理品牌

DIODE ARRAY GP 400V 100MA SM6

二极管与整流器

+1:

¥9.581031

+10:

¥8.242991

+100:

¥6.045962

+500:

¥4.740958

+1000:

¥3.683741

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管配置: 3 个独立式

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 400 V

电流 - 平均整流 (Io)(每二极管): 100mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.3 V 100 mA

速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度

反向恢复时间 (trr): 500 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 µA 400 V

工作温度 - 结: 150°C(最大)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-74,SOT-457

供应商器件封装: SM6

温度:

HN2D03F(TE85L,F)参数规格

属性 参数值
品牌: Toshiba Semiconductor and Storage
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
二极管配置: 3 个独立式
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 400 V
电流 - 平均整流 (Io)(每二极管): 100mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.3 V 100 mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间 (trr): 500 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 µA 400 V
工作温度 - 结: 150°C(最大)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-74,SOT-457
供应商器件封装: SM6
温度: