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搜索 HN2S02JE(TE85L,F)6 条相关记录
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
HN2S02JE(TE85L,F)_二极管阵列整流器
授权代理品牌

DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V ESV

二极管阵列整流器

+1:

¥2.297911

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管配置: 2 个独立式

二极管类型: 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 40 V

电流 - 平均整流 (Io)(每二极管): 100mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 600 mV 100 mA

速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA 40 V

工作温度 - 结: 125°C(最大)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-553

供应商器件封装: ESV

温度:

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
HN2S02JE(TE85L,F)_二极管阵列整流器
授权代理品牌

DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V ESV

二极管阵列整流器

+4000:

¥0.185963

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管配置: 2 个独立式

二极管类型: 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 40 V

电流 - 平均整流 (Io)(每二极管): 100mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 600 mV 100 mA

速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA 40 V

工作温度 - 结: 125°C(最大)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-553

供应商器件封装: ESV

温度:

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
HN2S02JE(TE85L,F)_二极管阵列整流器
授权代理品牌

DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V ESV

二极管阵列整流器

+4000:

¥0.454913

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管配置: 2 个独立式

二极管类型: 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 40 V

电流 - 平均整流 (Io)(每二极管): 100mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 600 mV 100 mA

速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA 40 V

工作温度 - 结: 125°C(最大)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-553

供应商器件封装: ESV

温度:

HN2S02JE(TE85L,F)_二极管阵列整流器
授权代理品牌

DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V ESV

二极管阵列整流器

+184:

¥0.341144

+1000:

¥0.341144

库存: 0

货期:7~10 天

包装: Cut Tape (CT) Alternate Packaging

系列: -

工作温度-结: 125°C (Max)

封装/外壳: SOT-553

供应商器件封装: ESV

HN2S02JE(TE85L,F)_二极管阵列整流器
授权代理品牌

DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V ESV

二极管阵列整流器

+4000:

¥0.454913

库存: 0

货期:7~10 天

包装: Digi-Reel® Alternate Packaging

系列: -

工作温度-结: 125°C (Max)

封装/外壳: SOT-553

供应商器件封装: ESV

Mouser
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HN2S02JE(TE85L,F)_二极管与整流器
HN2S02JE(TE85L,F)
授权代理品牌

DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V ESV

二极管与整流器

+:

+:

+:

+:

+:

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管配置: 2 个独立式

二极管类型: 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 40 V

电流 - 平均整流 (Io)(每二极管): 100mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 600 mV 100 mA

速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA 40 V

工作温度 - 结: 125°C(最大)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-553

供应商器件封装: ESV

温度:

HN2S02JE(TE85L,F)参数规格

属性 参数值
品牌: Toshiba Semiconductor and Storage
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
二极管配置: 2 个独立式
二极管类型: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 40 V
电流 - 平均整流 (Io)(每二极管): 100mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 600 mV 100 mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间 (trr): -
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA 40 V
工作温度 - 结: 125°C(最大)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-553
供应商器件封装: ESV
温度: