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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
H5N2307LSTL-E_晶体管-FET,MOSFET-单个

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Renesas Electronics America Inc

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: -

技术: -

漏源电压(Vdss): -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): -

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): -

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): -

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -

Vgs(最大值): -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -

FET 功能: -

功率耗散(最大值): -

工作温度: -

安装类型: -

供应商器件封装: -

封装/外壳: -

温度: -

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
H5N2307LSTL-E_晶体管-FET,MOSFET-单个

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Renesas Electronics America Inc

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: -

技术: -

漏源电压(Vdss): -

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): -

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): -

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): -

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -

Vgs(最大值): -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -

FET 功能: -

功率耗散(最大值): -

工作温度: -

安装类型: -

供应商器件封装: -

封装/外壳: -

温度: -

H5N2307LSTL-E_未分类
H5N2307LSTL-E

30A, 230V, 0.052OHM, N CHANNEL M

未分类

+97:

¥36.057124

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Bulk

Package / Case: -

Mounting Type: -

Operating Temperature: -

Technology: -

FET Type: -

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: -

Rds On (Max) @ Id, Vgs: -

FET Feature: -

Power Dissipation (Max): -

Vgs(th) (Max) @ Id: -

Supplier Device Package: -

Part Status: Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): -

Vgs (Max): -

H5N2307LSTL-E参数规格

属性 参数值
品牌: Renesas Electronics America Inc
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
FET 类型: -
技术: -
漏源电压(Vdss): -
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): -
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): -
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): -
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): -
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -
Vgs(最大值): -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -
FET 功能: -
功率耗散(最大值): -
工作温度: -
安装类型: -
供应商器件封装: -
封装/外壳: -
温度: -