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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HP8MA2TB1 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	HP8MA2 IS LOW ON-RESISTANCE AND 下载数据手册射频晶体管	+1：￥7.180704 +10：￥6.103584 +30：￥5.026464 +100：￥4.128912 +500：￥3.590352	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta），15A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.6mOhm 18A，10V，17.9mOhm 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22nC 10V，25nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1100pF 15V，1250pF 15V 功率 - 最大值： 3W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-HSOP 温度： 150°C（TJ）

自营现货库存

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	HP8MA2TB1 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	HP8MA2 IS LOW ON-RESISTANCE AND 下载数据手册未分类	+1：￥3.857326 +10：￥3.234472 +30：￥2.928508 +100：￥2.611618 +500：￥2.436781	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta），15A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.6mOhm 18A，10V，17.9mOhm 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22nC 10V，25nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1100pF 15V，1250pF 15V 功率 - 最大值： 3W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-HSOP 温度： 150°C（TJ）

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	HP8MA2TB1 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	HP8MA2 IS LOW ON-RESISTANCE AND 下载数据手册射频晶体管	+1：￥4.257022	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta），15A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.6mOhm 18A，10V，17.9mOhm 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22nC 10V，25nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1100pF 15V，1250pF 15V 功率 - 最大值： 3W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-HSOP 温度： 150°C（TJ）

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	HP8MA2TB1 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	HP8MA2 IS LOW ON-RESISTANCE AND 下载数据手册未分类	+2500：￥1.807278	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta），15A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.6mOhm 18A，10V，17.9mOhm 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22nC 10V，25nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1100pF 15V，1250pF 15V 功率 - 最大值： 3W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-HSOP 温度： 150°C（TJ）

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	HP8MA2TB1 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	HP8MA2 IS LOW ON-RESISTANCE AND 下载数据手册	+1：￥28.03788 +100：￥16.205904 +1250：￥10.274472 +2500：￥7.42847	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta），15A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.6mOhm 18A，10V，17.9mOhm 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22nC 10V，25nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1100pF 15V，1250pF 15V 功率 - 最大值： 3W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-HSOP 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

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	HP8MA2TB1 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	HP8MA2 IS LOW ON-RESISTANCE AND 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥5.669115	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta），15A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.6mOhm 18A，10V，17.9mOhm 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22nC 10V，25nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1100pF 15V，1250pF 15V 功率 - 最大值： 3W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-HSOP 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HP8MA2TB1 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	HP8MA2 IS LOW ON-RESISTANCE AND 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥9.796213	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta），15A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.6mOhm 18A，10V，17.9mOhm 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22nC 10V，25nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1100pF 15V，1250pF 15V 功率 - 最大值： 3W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-HSOP 温度： 150°C（TJ）
	HP8MA2TB1 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	HP8MA2 IS LOW ON-RESISTANCE AND 下载数据手册射频晶体管	+1：￥21.380026 +10：￥19.230466 +100：￥15.456025 +500：￥12.698812 +1000：￥10.521978	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-HSOP
	HP8MA2TB1 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	HP8MA2 IS LOW ON-RESISTANCE AND 下载数据手册射频晶体管	+1：￥21.380026 +10：￥19.230466 +100：￥15.456025 +500：￥12.698812 +1000：￥10.521978	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-HSOP

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HP8MA2TB1 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	HP8MA2 IS LOW ON-RESISTANCE AND 下载数据手册未分类	+1：￥24.513514 +10：￥21.995909 +100：￥17.755734 +500：￥14.575603 +1000：￥12.071249	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta），15A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9.6mOhm 18A，10V，17.9mOhm 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22nC 10V，25nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1100pF 15V，1250pF 15V 功率 - 最大值： 3W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-HSOP 温度： 150°C（TJ）

HP8MA2TB1参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 和 P 沟道
FET 功能:	标准
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	18A（Ta），15A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	9.6mOhm 18A，10V，17.9mOhm 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	22nC 10V，25nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1100pF 15V，1250pF 15V
功率 - 最大值:	3W（Ta）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-PowerTDFN
供应商器件封装:	8-HSOP
温度:	150°C（TJ）