HN2D01JE(TE85L,F)厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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搜索 HN2D01JE(TE85L,F) 共 9 条相关记录

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HN2D01JE(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	DIODE ARRAY GP 80V 100MA ESV 下载数据手册二极管阵列整流器	+1：￥1.209059 +200：￥0.482423 +500：￥0.466302 +1000：￥0.458338	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管配置： 2 个独立式二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 80 V 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）： 100mA 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.2 V 100 mA 速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间 (trr)： 1.6 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 500 nA 80 V 工作温度 - 结： 150°C（最大）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-553 供应商器件封装： ESV 温度：

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HN2D01JE(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	DIODE ARRAY GP 80V 100MA ESV 下载数据手册二极管阵列整流器	+1：￥2.151017	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管配置： 2 个独立式二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 80 V 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）： 100mA 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.2 V 100 mA 速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间 (trr)： 1.6 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 500 nA 80 V 工作温度 - 结： 150°C（最大）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-553 供应商器件封装： ESV 温度：

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HN2D01JE(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	DIODE ARRAY GP 80V 100MA ESV 下载数据手册二极管阵列整流器	+4000：￥0.515983 +8000：￥0.504451 +12000：￥0.446789 +28000：￥0.441023 +100000：￥0.368975	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管配置： 2 个独立式二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 80 V 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）： 100mA 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.2 V 100 mA 速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间 (trr)： 1.6 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 500 nA 80 V 工作温度 - 结： 150°C（最大）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-553 供应商器件封装： ESV 温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HN2D01JE(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	DIODE ARRAY GP 80V 100MA ESV 下载数据手册二极管阵列整流器	+4000：￥1.262231 +8000：￥1.234019 +12000：￥1.092964 +28000：￥1.078859 +100000：￥0.902611	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管配置： 2 个独立式二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 80 V 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）： 100mA 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.2 V 100 mA 速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间 (trr)： 1.6 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 500 nA 80 V 工作温度 - 结： 150°C（最大）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-553 供应商器件封装： ESV 温度：
	HN2D01JE(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	DIODE ARRAY GP 80V 100MA ESV 下载数据手册二极管阵列整流器	+1：￥5.699196 +10：￥4.060678 +100：￥2.044588 +500：￥1.812061 +1000：￥1.410267	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	包装： Cut Tape (CT) Alternate Packaging 系列： - 工作温度-结： 150°C (Max) 封装/外壳： SOT-553 供应商器件封装： ESV
	HN2D01JE(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	DIODE ARRAY GP 80V 100MA ESV 下载数据手册二极管阵列整流器	+1：￥5.699196 +10：￥4.060678 +100：￥2.044588 +500：￥1.812061 +1000：￥1.410267	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	包装： Digi-Reel® Alternate Packaging 系列： - 工作温度-结： 150°C (Max) 封装/外壳： SOT-553 供应商器件封装： ESV

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HN2D01JE(TE85L,F) Toshiba(东芝) 授权代理品牌	DIODE ARRAY GP 80V 100MA ESV 下载数据手册二极管与整流器	+1：￥6.515009 +10：￥4.641945 +100：￥2.084803 +1000：￥1.449591 +4000：￥1.433302	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管配置： 2 个独立式二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 80 V 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）： 100mA 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.2 V 100 mA 速度：小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间 (trr)： 1.6 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 500 nA 80 V 工作温度 - 结： 150°C（最大）安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-553 供应商器件封装： ESV 温度：

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HN2D01JE(TE85L,F) TOSHIBA(东芝) 授权代理品牌	Rectifier Diode Switching 85V 0.2A 1.6ns 5-Pin ESV T/R 下载数据手册未分类	+196：￥1.509839 +200：￥1.496887 +500：￥1.345162 +1000：￥1.285954 +2000：￥1.273001	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HN2D01JE(TE85L,F) TOSHIBA(东芝) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+50：￥1.264791 +100：￥1.208159 +200：￥1.198719 +500：￥1.076015 +1000：￥1.028823	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

HN2D01JE(TE85L,F)参数规格

属性	参数值
品牌:	Toshiba Semiconductor and Storage
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
二极管配置:	2 个独立式
二极管类型:	标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:	80 V
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）:	100mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):	1.2 V 100 mA
速度:	小信号 =< 200mA（Io），任意速度
反向恢复时间 (trr):	1.6 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:	500 nA 80 V
工作温度 - 结:	150°C（最大）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SOT-553
供应商器件封装:	ESV
温度: