品牌： Renesas Electronics America Inc

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： 2 个 N 通道（双），肖特基

FET 功能： 逻辑电平栅极，4.5V 驱动

漏源电压（Vdss）： 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.5A（Ta），8A（Ta）

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 3.75A，10V，22 毫欧 4A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4.6nC 4.5V，11nC 4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 630pF 10V，1330pF 10V

功率 - 最大值： 1.5W（Ta）

工作温度： 150°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

供应商器件封装： 8-SOP

温度： 150°C