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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
HN2S01FUTE85LF_二极管阵列整流器
授权代理品牌

DIODE ARRAY SCHOTTKY 10V US6

二极管阵列整流器

+3000:

¥0.47693

+6000:

¥0.456081

+15000:

¥0.403958

+30000:

¥0.398745

+75000:

¥0.338803

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管配置: 3 个独立式

二极管类型: 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 10 V

电流 - 平均整流 (Io)(每二极管): 100mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 500 mV 100 mA

速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 20 µA 10 V

工作温度 - 结: 125°C(最大)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: US6

温度:

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
HN2S01FUTE85LF_二极管阵列整流器
授权代理品牌

DIODE ARRAY SCHOTTKY 10V US6

二极管阵列整流器

+3000:

¥1.166698

+6000:

¥1.115694

+15000:

¥0.988186

+30000:

¥0.975436

+75000:

¥0.828802

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管配置: 3 个独立式

二极管类型: 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 10 V

电流 - 平均整流 (Io)(每二极管): 100mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 500 mV 100 mA

速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 20 µA 10 V

工作温度 - 结: 125°C(最大)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: US6

温度:

HN2S01FUTE85LF_二极管阵列整流器
授权代理品牌

DIODE ARRAY SCHOTTKY 10V US6

二极管阵列整流器

+1:

¥5.100315

+10:

¥3.896075

+25:

¥3.507884

+100:

¥1.848864

+250:

¥1.82988

库存: 0

货期:7~10 天

包装: Cut Tape (CT) Alternate Packaging

系列: -

工作温度-结: 125°C (Max)

封装/外壳: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供应商器件封装: US6

HN2S01FUTE85LF_二极管阵列整流器
授权代理品牌

DIODE ARRAY SCHOTTKY 10V US6

二极管阵列整流器

库存: 0

货期:7~10 天

包装: Digi-Reel® Alternate Packaging

系列: -

工作温度-结: 125°C (Max)

封装/外壳: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供应商器件封装: US6

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
HN2S01FUTE85LF_二极管与整流器
HN2S01FUTE85LF
授权代理品牌

DIODE ARRAY SCHOTTKY 10V US6

二极管与整流器

+:

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+:

+:

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管配置: 3 个独立式

二极管类型: 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 10 V

电流 - 平均整流 (Io)(每二极管): 100mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 500 mV 100 mA

速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度

反向恢复时间 (trr): -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 20 µA 10 V

工作温度 - 结: 125°C(最大)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: US6

温度:

HN2S01FUTE85LF参数规格

属性 参数值
品牌: Toshiba Semiconductor and Storage
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
二极管配置: 3 个独立式
二极管类型: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 10 V
电流 - 平均整流 (Io)(每二极管): 100mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 500 mV 100 mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间 (trr): -
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 20 µA 10 V
工作温度 - 结: 125°C(最大)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装: US6
温度: