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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HP8K24TB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	HP8K24 IS THE HIGH RELIABILITY T 下载数据手册射频晶体管	+10：￥9.631872 +100：￥8.18712 +200：￥6.742368 +500：￥6.01992 +800：￥5.538384	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta），27A（Tc），26A（Ta），80A（Tc）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.8mOhm 15A，10V，3mOhm 26A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10nC 10V，36nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 590pF 15V，2410pF 15V 功率 - 最大值： 3W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-HSOP 温度： 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HP8K24TB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	HP8K24 IS THE HIGH RELIABILITY T 下载数据手册射频晶体管	+1：￥11.473634 +200：￥4.578526 +500：￥4.425544 +1000：￥4.359981	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta），27A（Tc），26A（Ta），80A（Tc）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.8mOhm 15A，10V，3mOhm 26A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10nC 10V，36nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 590pF 15V，2410pF 15V 功率 - 最大值： 3W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-HSOP 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HP8K24TB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	HP8K24 IS THE HIGH RELIABILITY T 下载数据手册未分类	+2500：￥1.863771	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta），27A（Tc），26A（Ta），80A（Tc）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.8mOhm 15A，10V，3mOhm 26A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10nC 10V，36nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 590pF 15V，2410pF 15V 功率 - 最大值： 3W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-HSOP 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HP8K24TB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	HP8K24 IS THE HIGH RELIABILITY T 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥5.199396 +5000：￥5.064347	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta），27A（Tc），26A（Ta），80A（Tc）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.8mOhm 15A，10V，3mOhm 26A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10nC 10V，36nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 590pF 15V，2410pF 15V 功率 - 最大值： 3W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-HSOP 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HP8K24TB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	HP8K24 IS THE HIGH RELIABILITY T 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥8.98454 +5000：￥8.751175	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta），27A（Tc），26A（Ta），80A（Tc）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.8mOhm 15A，10V，3mOhm 26A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10nC 10V，36nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 590pF 15V，2410pF 15V 功率 - 最大值： 3W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-HSOP 温度： 150°C（TJ）
	HP8K24TB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	HP8K24 IS THE HIGH RELIABILITY T 下载数据手册射频晶体管	+1：￥21.148674 +10：￥18.936571 +100：￥14.760316 +500：￥12.193304 +1000：￥9.626293	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-HSOP
	HP8K24TB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	HP8K24 IS THE HIGH RELIABILITY T 下载数据手册射频晶体管	+1：￥21.148674 +10：￥18.936571 +100：￥14.760316 +500：￥12.193304 +1000：￥9.626293	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-HSOP

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HP8K24TB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	HP8K24 IS THE HIGH RELIABILITY T 下载数据手册未分类	+1：￥23.829859 +10：￥21.488197 +100：￥16.804873 +500：￥13.912231 +1000：￥10.909392	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta），27A（Tc），26A（Ta），80A（Tc）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8.8mOhm 15A，10V，3mOhm 26A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10nC 10V，36nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 590pF 15V，2410pF 15V 功率 - 最大值： 3W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-HSOP 温度： 150°C（TJ）

HP8K24TB参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	标准
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	15A（Ta），27A（Tc），26A（Ta），80A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	8.8mOhm 15A，10V，3mOhm 26A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	10nC 10V，36nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	590pF 15V，2410pF 15V
功率 - 最大值:	3W（Ta）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-PowerTDFN
供应商器件封装:	8-HSOP
温度:	150°C（TJ）