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Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
HTMN5130SSD-13_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SOIC

射频晶体管

+2500:

¥8.583628

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 55V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.6A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 130 毫欧 3A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 8.9nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 218.7pF 25V

功率 - 最大值: 1.7W

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 8-SO

温度: -55°C # 175°C(TJ)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
HTMN5130SSD-13_晶体管
HTMN5130SSD-13
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SOIC

晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 55V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.6A

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 130 毫欧 3A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 8.9nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 218.7pF 25V

功率 - 最大值: 1.7W

工作温度: -55°C # 175°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 8-SO

温度: -55°C # 175°C(TJ)

HTMN5130SSD-13参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 55V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.6A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 130 毫欧 3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 8.9nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 218.7pF 25V
功率 - 最大值: 1.7W
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
供应商器件封装: 8-SO
温度: -55°C # 175°C(TJ)