品牌： Toshiba Semiconductor and Storage

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12欧姆 10mA，2.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8.5 pF 3 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 200mW（Ta）

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 5-SSOP

封装/外壳： 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353

温度： 150°C（TJ）