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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HS1D R3G Taiwan Semiconductor Corporation(台湾集成电路制造) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC 下载数据手册二极管整流器	+1：￥3.879181 +200：￥1.551672 +500：￥1.497036 +1000：￥1.475181	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Taiwan Semiconductor Corporation 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态： Digi-Key 停止提供二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 50 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： 15pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： DO-214AC（SMA）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HS1D R3G Taiwan Semiconductor Corporation(台湾集成电路制造) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC 下载数据手册二极管整流器	+1800：￥3.139386 +3600：￥2.862411 +5400：￥2.677806 +12600：￥2.518283	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Taiwan Semiconductor Corporation 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态： Digi-Key 停止提供二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 50 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： 15pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： DO-214AC（SMA）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：
	HS1D R3G Taiwan Semiconductor Corporation(台湾集成电路制造) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC 下载数据手册二极管整流器	+1：￥8.075498 +10：￥6.927927 +100：￥5.171152 +500：￥4.062683	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	包装： Cut Tape (CT) Alternate Packaging 系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度-结： -55°C # 150°C 封装/外壳： DO-214AC, SMA 供应商器件封装： DO-214AC (SMA)
	HS1D R3G Taiwan Semiconductor Corporation(台湾集成电路制造) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC 下载数据手册二极管整流器	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	包装： Digi-Reel® Alternate Packaging 系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度-结： -55°C # 150°C 封装/外壳： DO-214AC, SMA 供应商器件封装： DO-214AC (SMA)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HS1D R3G Taiwan Semiconductor Corporation(台湾集成电路制造) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC 下载数据手册二极管与整流器	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Taiwan Semiconductor Corporation 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态： Digi-Key 停止提供二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 50 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： 15pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： DO-214AC（SMA）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

HS1D R3G参数规格

属性	参数值
品牌:	Taiwan Semiconductor Corporation
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	Digi-Key 停止提供
二极管类型:	标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:	200 V
电流 - 平均整流 (Io):	1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):	1 V 1 A
速度:	快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr):	50 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:	5 µA 200 V
不同 Vr、F 时电容:	15pF 4V，1MHz
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	DO-214AC，SMA
供应商器件封装:	DO-214AC（SMA）
工作温度 - 结:	-55°C # 150°C
温度: