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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
HS1GFL_二极管整流器
HS1GFL

DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123F

二极管整流器

+1:

¥1.208293

+200:

¥0.482117

+500:

¥0.466007

+1000:

¥0.458047

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Taiwan Semiconductor Corporation

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 400 V

电流 - 平均整流 (Io): 1A(DC)

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.3 V 1 A

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 50 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA 400 V

不同 Vr、F 时电容: 11pF 4V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOD-123F

供应商器件封装: SOD-123F

工作温度 - 结: -55°C # 150°C

温度:

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
HS1GFL_二极管整流器

DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123F

二极管整流器

+10000:

¥0.588386

+30000:

¥0.577981

+50000:

¥0.519235

+100000:

¥0.460336

+250000:

¥0.449934

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Taiwan Semiconductor Corporation

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 400 V

电流 - 平均整流 (Io): 1A(DC)

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.3 V 1 A

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 50 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA 400 V

不同 Vr、F 时电容: 11pF 4V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOD-123F

供应商器件封装: SOD-123F

工作温度 - 结: -55°C # 150°C

温度:

HS1GFL_二极管整流器

DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123F

二极管整流器

+1:

¥4.589581

+10:

¥3.120915

+100:

¥1.522212

+500:

¥1.270396

+1000:

¥0.882577

库存: 0

货期:7~10 天

包装: Cut Tape (CT) Alternate Packaging

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度-结: -55°C # 150°C

封装/外壳: SOD-123F

供应商器件封装: SOD-123FL

HS1GFL_二极管整流器

DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123F

二极管整流器

+1:

¥4.589581

+10:

¥3.120915

+100:

¥1.522212

+500:

¥1.270396

+1000:

¥0.882577

库存: 0

货期:7~10 天

包装: Digi-Reel® Alternate Packaging

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度-结: -55°C # 150°C

封装/外壳: SOD-123F

供应商器件封装: SOD-123FL

Mouser
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HS1GFL_未分类
HS1GFL

DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123F

未分类

+1:

¥5.557242

+10:

¥3.906416

+100:

¥1.830622

+1000:

¥1.160483

+2500:

¥1.078761

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Taiwan Semiconductor Corporation

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 400 V

电流 - 平均整流 (Io): 1A(DC)

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.3 V 1 A

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 50 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA 400 V

不同 Vr、F 时电容: 11pF 4V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOD-123F

供应商器件封装: SOD-123F

工作温度 - 结: -55°C # 150°C

温度:

HS1GFL参数规格

属性 参数值
品牌: Taiwan Semiconductor Corporation
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 400 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A(DC)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.3 V 1 A
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 50 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA 400 V
不同 Vr、F 时电容: 11pF 4V,1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123F
供应商器件封装: SOD-123F
工作温度 - 结: -55°C # 150°C
温度: