 | | RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16SOIC 晶体管射频 | | | 品牌: Renesas Electronics America Inc 包装: 管件 封装/外壳: * 系列: 零件状态: 停产 晶体管类型: 5 NPN 电压 - 集射极击穿(最大值): 12V 频率 - 跃迁: 8GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值): 3.5dB 1GHz 增益: - 功率 - 最大值: 150mW 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 40 10mA,2V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 65mA 工作温度: 150°C(TJ) 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 16-SOIC(0.154,3.90mm 宽) 供应商器件封装: 16-SOIC 温度: 150°C(TJ) |
 | | RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR 晶体管射频 | | | 品牌: Harris Corporation 包装: Tube 封装/外壳: * 系列: 零件状态: Obsolete 晶体管类型: 5 NPN 电压 - 集射极击穿(最大值): 12V 频率 - 跃迁: 8GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值): 3.5dB 1GHz 增益: - 功率 - 最大值: 150mW 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 40 10mA, 2V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 65mA 工作温度: 150°C (TJ) 安装类型: Surface Mount 封装/外壳: 16-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装: 16-SOIC 温度: 150°C (TJ) |
 | | RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR 晶体管射频 | | | 品牌: Intersil 包装: Tube 封装/外壳: * 系列: 零件状态: Obsolete 晶体管类型: 5 NPN 电压 - 集射极击穿(最大值): 12V 频率 - 跃迁: 8GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值): 3.5dB 1GHz 增益: - 功率 - 最大值: 150mW 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 40 10mA, 2V 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 65mA 工作温度: 150°C (TJ) 安装类型: Surface Mount 封装/外壳: 16-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装: 16-SOIC 温度: 150°C (TJ) |