品牌： Renesas Electronics America Inc

包装： Bulk

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Obsolete

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25A (Ta)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 15.3mOhm 12.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6V 20mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 61 nC 10 V

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4350 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 30W (Tc)

工作温度： 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： 8-LFPAK-iV

封装/外壳： 8-PowerSOIC (0.154#, 3.90mm Width)

温度： 150°C (TJ)