品牌： GeneSiC Semiconductor

包装： Tube

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： -

技术： SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

漏源电压（Vdss）： 1200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 45A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60mOhm 20A

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3091 pF 800 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 282W (Tc)

工作温度： 175°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： TO-263-7

封装/外壳： TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

温度： 175°C (TJ)

品牌： GeneSiC Semiconductor

包装： Tube

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

FET 类型： -

技术： SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

漏源电压（Vdss）： 1200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 45A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60mOhm 20A

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3091 pF 800 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 282W (Tc)

工作温度： 175°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： TO-263-7

封装/外壳： TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

温度： 175°C (TJ)