直流反向耐压(Vr)： 1kV

平均整流电流(Io)： 10A

正向压降(Vf)： 1.1V@5A

反向电流(Ir)： 10μA@1kV

正向浪涌电流(Ifsm)： 200A

工作温度： -55℃~+150℃@(Ta）

直流反向耐压(Vr)： 1kV

平均整流电流(Io)： 10A

正向压降(Vf)： 1.1V@10A

反向电流(Ir)： 5μA@1kV

正向浪涌电流(Ifsm)： 220A

工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)

电压： 1kV

电流： 10A

正向压降(Vf)： 1.05V

直流反向耐压(Vr)： 1kV

平均整流电流(Io)： 10A

正向浪涌电流(Ifsm)： 200A

电压： 1kV

电流： 10A

正向压降(Vf)： 1V

直流反向耐压(Vr)： 1kV

平均整流电流(Io)： 10A

正向浪涌电流(Ifsm)： 220A

品牌： GeneSiC Semiconductor

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： Single Phase

技术： 标准

电压 - 峰值反向（最大值）： 1 kV

电流 - 平均整流 (Io)： 10 A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.1 V 10 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 1000 V

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： 4-SIP，GBU

供应商器件封装： GBU

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： 4-SIP, GBU

Mounting Type： Through Hole

Diode Type： Single Phase

Operating Temperature： -50°C ~ 150°C (TJ)

Technology： Standard

Supplier Device Package： GBU

Grade： -

Voltage - Peak Reverse (Max)： 1 kV

Current - Average Rectified (Io)： 7 A

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If： 1.1 V @ 10 A

Current - Reverse Leakage @ Vr： 5 µA @ 1000 V

Qualification： -

品牌： GeneSiC Semiconductor

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： Single Phase

技术： 标准

电压 - 峰值反向（最大值）： 1 kV

电流 - 平均整流 (Io)： 10 A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.1 V 10 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 1000 V

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： 4-SIP，GBU

供应商器件封装： GBU

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： GeneSiC Semiconductor

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： Single Phase

技术： 标准

电压 - 峰值反向（最大值）： 1 kV

电流 - 平均整流 (Io)： 10 A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.1 V 10 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 1000 V

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： 4-SIP，GBU

供应商器件封装： GBU

温度： -55°C # 150°C（TJ）