品牌： GeneSiC Semiconductor

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： Single Phase

技术： 标准

电压 - 峰值反向（最大值）： 100 V

电流 - 平均整流 (Io)： 10 A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.1 V 10 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 50 V

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： 4-SIP，GBU

供应商器件封装： GBU

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： 4-SIP, GBU

Mounting Type： Through Hole

Diode Type： Single Phase

Operating Temperature： -50°C ~ 150°C (TJ)

Technology： Standard

Supplier Device Package： GBU

Grade： -

Voltage - Peak Reverse (Max)： 100 V

Current - Average Rectified (Io)： 7 A

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If： 1.1 V @ 10 A

Current - Reverse Leakage @ Vr： 5 µA @ 100 V

Qualification： -

品牌： GeneSiC Semiconductor

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： Single Phase

技术： 标准

电压 - 峰值反向（最大值）： 100 V

电流 - 平均整流 (Io)： 10 A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.1 V 10 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 50 V

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： 4-SIP，GBU

供应商器件封装： GBU

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： GeneSiC Semiconductor

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： Single Phase

技术： 标准

电压 - 峰值反向（最大值）： 100 V

电流 - 平均整流 (Io)： 10 A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.1 V 10 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 50 V

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： 4-SIP，GBU

供应商器件封装： GBU

温度： -55°C # 150°C（TJ）