品牌： Taiwan Semiconductor Corporation

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： Single Phase

技术： 标准

电压 - 峰值反向（最大值）： 1 kV

电流 - 平均整流 (Io)： 4 A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.1 V 4 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 1000 V

工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： 4-SIP，GBL

供应商器件封装： GBL

温度： -55°C ~ 150°C（TJ）

品牌： GeneSiC Semiconductor

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： Single Phase

技术： 标准

电压 - 峰值反向（最大值）： 1 kV

电流 - 平均整流 (Io)： 4 A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.1 V 4 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 1000 V

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： 4-SIP，GBL

供应商器件封装： GBL

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： GeneSiC Semiconductor

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： Single Phase

技术： 标准

电压 - 峰值反向（最大值）： 1 kV

电流 - 平均整流 (Io)： 4 A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.1 V 4 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 1000 V

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： 4-SIP，GBL

供应商器件封装： GBL

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Packaging： Tube

Package / Case： 4-SIP, GBL

Mounting Type： Through Hole

Diode Type： Single Phase

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology： Standard

Supplier Device Package： GBL

Voltage - Peak Reverse (Max)： 1 kV

Current - Average Rectified (Io)： 4 A

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If： 1.1 V @ 4 A

Current - Reverse Leakage @ Vr： 5 µA @ 1000 V

Packaging： Bag

Package / Case： 4-SIP, GBL

Mounting Type： Through Hole

Diode Type： Single Phase

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology： Standard

Supplier Device Package： GBL

Voltage - Peak Reverse (Max)： 1 kV

Current - Average Rectified (Io)： 3 A

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If： 1 V @ 2 A

Current - Reverse Leakage @ Vr： 10 µA @ 1000 V