品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 11 V

容差： ±5%

功率 - 最大值： 1 W

阻抗（最大值）(Zzt)： 8 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 8.4 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： -

工作温度： -65°C # 150°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： DO-213AB，MELF

供应商器件封装： MELF DO-213AB

温度： -65°C # 150°C

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 11 V

容差： ±5%

功率 - 最大值： 1 W

阻抗（最大值）(Zzt)： 8 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 8.4 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： -

工作温度： -65°C # 150°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： DO-213AB，MELF

供应商器件封装： MELF DO-213AB

温度： -65°C # 150°C