品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： Single Phase

技术： 标准

电压 - 峰值反向（最大值）： 800 V

电流 - 平均整流 (Io)： 3.9 A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 8 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 800 V

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： 4-SIP，GBU

供应商器件封装： GBU

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： Single Phase

技术： 标准

电压 - 峰值反向（最大值）： 800 V

电流 - 平均整流 (Io)： 3.9 A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 8 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 800 V

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： 4-SIP，GBU

供应商器件封装： GBU

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： Single Phase

技术： 标准

电压 - 峰值反向（最大值）： 800 V

电流 - 平均整流 (Io)： 3.9 A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 8 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 800 V

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： 4-SIP，GBU

供应商器件封装： GBU

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： Single Phase

技术： 标准

电压 - 峰值反向（最大值）： 800 V

电流 - 平均整流 (Io)： 3.9 A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 8 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 800 V

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： 4-SIP，GBU

供应商器件封装： GBU

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： Single Phase

技术： 标准

电压 - 峰值反向（最大值）： 800 V

电流 - 平均整流 (Io)： 3.9 A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 8 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 800 V

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： 4-SIP，GBU

供应商器件封装： GBU

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： Single Phase

技术： 标准

电压 - 峰值反向（最大值）： 800 V

电流 - 平均整流 (Io)： 3.9 A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 8 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 800 V

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： 4-SIP，GBU

供应商器件封装： GBU

温度： -55°C # 150°C（TJ）