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GBU8M-E3/45_二极管桥式整流器
GBU8M-E3/45
Vishay(威世)
授权代理品牌

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 3.9A GBU

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二极管桥式整流器
+20：

￥12.672

+100：

￥10.7712

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￥8.8704

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￥7.2864

+800：

￥6.336

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： Single Phase

技术： 标准

电压 - 峰值反向（最大值）： 1 kV

电流 - 平均整流 (Io)： 3.9 A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 8 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 1000 V

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： 4-SIP，GBU

供应商器件封装： GBU

温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营 现货库存
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GBU8M-E3/45_null
GBU8M-E3/45
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BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 3.9A GBU
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品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： Single Phase

技术： 标准

电压 - 峰值反向（最大值）： 1 kV

电流 - 平均整流 (Io)： 3.9 A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 8 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 1000 V

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： 4-SIP，GBU

供应商器件封装： GBU

温度： -55°C # 150°C（TJ）

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GBU8M-E3/45_二极管桥式整流器
GBU8M-E3/45
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BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 3.9A GBU

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二极管桥式整流器
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品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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二极管类型： Single Phase

技术： 标准

电压 - 峰值反向（最大值）： 1 kV

电流 - 平均整流 (Io)： 3.9 A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 8 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 1000 V

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： 4-SIP，GBU

供应商器件封装： GBU

温度： -55°C # 150°C（TJ）

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GBU8M-E3/45_二极管桥式整流器
GBU8M-E3/45
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技术： 标准

电压 - 峰值反向（最大值）： 1 kV

电流 - 平均整流 (Io)： 3.9 A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 8 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 1000 V

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： 4-SIP，GBU

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Digi-Key
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技术： 标准

电压 - 峰值反向（最大值）： 1 kV

电流 - 平均整流 (Io)： 3.9 A

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封装/外壳： 4-SIP，GBU

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Mouser
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GBU8M-E3/45_二极管与整流器
GBU8M-E3/45
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二极管与整流器
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￥29.784568

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￥19.011426

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￥18.060855

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￥15.494314

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技术： 标准

电压 - 峰值反向（最大值）： 1 kV

电流 - 平均整流 (Io)： 3.9 A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 8 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 1000 V

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

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封装/外壳： 4-SIP，GBU

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温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿
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GBU8M-E3/45_未分类
GBU8M-E3/45
授权代理品牌

Rectifier Bridge Diode Single 1KV 8A 4-Pin Case GBU Tube

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未分类
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￥14.780905

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GBU8M-E3/45参数规格

属性 参数值
品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装: 管件
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
二极管类型: Single Phase
技术: 标准
电压 - 峰值反向（最大值）: 1 kV
电流 - 平均整流 (Io): 3.9 A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1 V 8 A
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA 1000 V
工作温度: -55°C # 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: 4-SIP，GBU
供应商器件封装: GBU
温度: -55°C # 150°C（TJ）