品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： GDZ-G

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 2 V

容差： ±4%

功率 - 最大值： 200 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 100 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 120 µA 500 mV

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： -

工作温度： -55°C # 150°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SC-76，SOD-323

供应商器件封装： SOD-323

温度： -55°C # 150°C

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： GDZ-G

零件状态： 在售

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 2 V

容差： ±4%

功率 - 最大值： 200 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 100 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 120 µA 500 mV

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： -

工作温度： -55°C # 150°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SC-76，SOD-323

供应商器件封装： SOD-323

温度： -55°C # 150°C