品牌： MDD

包装： Box

封装/外壳： *

系列： GBU

零件状态： Active

二极管类型： Single Phase

技术： Standard

电压 - 峰值反向（最大值）： 1 kV

电流 - 平均整流 (Io)： 8 A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 5 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 1000 V

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： 4-SIP, GBU

供应商器件封装： GBU

温度： -55°C # 150°C (TJ)

直流反向耐压(Vr)： 1kV

平均整流电流(Io)： 8A

正向压降(Vf)： 1V@4A

反向电流(Ir)： 5uA@1000V

正向浪涌电流(Ifsm)： 170A

工作温度： -65℃~+150℃@(Tj)

品牌： MDD

包装： Box

封装/外壳： *

系列： GBU

零件状态： Active

二极管类型： Single Phase

技术： Standard

电压 - 峰值反向（最大值）： 1 kV

电流 - 平均整流 (Io)： 8 A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 5 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 1000 V

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： 4-SIP, GBU

供应商器件封装： GBU

温度： -55°C # 150°C (TJ)

品牌： Diodes Incorporated

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： Single Phase

技术： 标准

电压 - 峰值反向（最大值）： 1 kV

电流 - 平均整流 (Io)： 8 A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 4 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 1000 V

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： 4-SIP，GBU

供应商器件封装： GBU

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Diodes Incorporated

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： Single Phase

技术： 标准

电压 - 峰值反向（最大值）： 1 kV

电流 - 平均整流 (Io)： 8 A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 4 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 1000 V

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： 4-SIP，GBU

供应商器件封装： GBU

温度： -55°C # 150°C（TJ）