品牌： Diodes Incorporated

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： Single Phase

技术： 标准

电压 - 峰值反向（最大值）： 100 V

电流 - 平均整流 (Io)： 4 A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 2 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 100 V

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： 4-SIP，GBU

供应商器件封装： GBU

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Diodes Incorporated

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： Single Phase

技术： 标准

电压 - 峰值反向（最大值）： 100 V

电流 - 平均整流 (Io)： 4 A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 2 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 100 V

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： 4-SIP，GBU

供应商器件封装： GBU

温度： -55°C # 150°C（TJ）

直流反向耐压(Vr)： 100V

平均整流电流(Io)： 4A

正向压降(Vf)： 1V@2A

反向电流(Ir)： 5μA@100V

正向浪涌电流(Ifsm)： 135A

工作温度： -55℃~+150℃@(Tj)

品牌： Diodes Incorporated

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： Single Phase

技术： 标准

电压 - 峰值反向（最大值）： 100 V

电流 - 平均整流 (Io)： 4 A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 2 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 100 V

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： 4-SIP，GBU

供应商器件封装： GBU

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Taiwan Semiconductor Corporation

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： Single Phase

技术： 标准

电压 - 峰值反向（最大值）： 50 V

电流 - 平均整流 (Io)： 4 A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.1 V 4 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 50 V

工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： 4-SIP，GBU

供应商器件封装： GBU

温度： -55°C ~ 150°C（TJ）

品牌： Diodes Incorporated

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： Single Phase

技术： 标准

电压 - 峰值反向（最大值）： 100 V

电流 - 平均整流 (Io)： 4 A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 2 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 100 V

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： 4-SIP，GBU

供应商器件封装： GBU

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Diodes Incorporated

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： Single Phase

技术： 标准

电压 - 峰值反向（最大值）： 100 V

电流 - 平均整流 (Io)： 4 A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 2 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 100 V

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： 4-SIP，GBU

供应商器件封装： GBU

温度： -55°C # 150°C（TJ）