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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
GSID100A120T2C1A_晶体管IGBT
授权代理品牌

IGBT MOD 1200V 200A 800W

晶体管IGBT

+6:

¥1600.908764

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: SemiQ

包装: 散装

封装/外壳: *

系列: Amp+™

零件状态: 在售

IGBT 类型: -

配置: 三相反相器

电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 200 A

功率 - 最大值: 800 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.1V 15V,100A

电流 - 集电极截止(最大值): 1 mA

不同 Vce 时输入电容 (Cies): 13.7 nF 25 V

输入: 三相桥式整流器

NTC 热敏电阻:

工作温度: -40°C # 150°C

安装类型: 底座安装

封装/外壳: 模块

供应商器件封装: 模块

温度: -40°C # 150°C

GSID100A120T2C1A参数规格

属性 参数值
品牌: SemiQ
包装: 散装
封装/外壳: *
系列: Amp+™
零件状态: 在售
IGBT 类型: -
配置: 三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 200 A
功率 - 最大值: 800 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.1V 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值): 1 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 13.7 nF 25 V
输入: 三相桥式整流器
NTC 热敏电阻:
工作温度: -40°C # 150°C
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
温度: -40°C # 150°C