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Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
GC2X50MPS06-227_二极管阵列整流器

DIODE MOD SCHOT 650V 104A SOT227

二极管阵列整流器

+1:

¥742.597024

+10:

¥697.596385

+25:

¥675.093594

+100:

¥607.586459

+250:

¥585.082927

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: GeneSiC Semiconductor

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: SiC Schottky MPS™

零件状态: 在售

二极管配置: 2 个独立式

二极管类型: 碳化硅肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 650 V

电流 - 平均整流 (Io)(每二极管): 104A(DC)

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.8 V 50 A

速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 0 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 650 V

工作温度 - 结: -55°C # 175°C

安装类型: 底座安装

封装/外壳: SOT-227-4,miniBLOC

供应商器件封装: SOT-227

温度:

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
GC2X50MPS06-227_null

DIODE MOD SCHOT 650V 104A SOT227

+600:

¥716.722133

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: GeneSiC Semiconductor

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: SiC Schottky MPS™

零件状态: 在售

二极管配置: 2 个独立式

二极管类型: 碳化硅肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 650 V

电流 - 平均整流 (Io)(每二极管): 104A(DC)

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.8 V 50 A

速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 0 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 650 V

工作温度 - 结: -55°C # 175°C

安装类型: 底座安装

封装/外壳: SOT-227-4,miniBLOC

供应商器件封装: SOT-227

温度:

GC2X50MPS06-227参数规格

属性 参数值
品牌: GeneSiC Semiconductor
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: SiC Schottky MPS™
零件状态: 在售
二极管配置: 2 个独立式
二极管类型: 碳化硅肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 650 V
电流 - 平均整流 (Io)(每二极管): 104A(DC)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.8 V 50 A
速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 0 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 650 V
工作温度 - 结: -55°C # 175°C
安装类型: 底座安装
封装/外壳: SOT-227-4,miniBLOC
供应商器件封装: SOT-227
温度: