品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： -

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

IGBT 类型： NPT

配置： 三相反相器

电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 50 A

功率 - 最大值： 284 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 3V 15V，50A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100 µA

不同 Vce 时输入电容 (Cies)： 3.475 nF 30 V

输入： 标准

NTC 热敏电阻： 无

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 底座安装

封装/外壳： ECONO2

供应商器件封装： -

温度： 150°C（TJ）