品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： SUPERECTIFIER®

零件状态： 在售

二极管类型： 标准

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 100 V

电流 - 平均整流 (Io)： 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.1 V 1 A

速度： 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 100 V

不同 Vr、F 时电容： 8pF 4V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： DO-213AB，MELF（玻璃）

供应商器件封装： DO-213AB

工作温度 - 结： -65°C # 175°C

温度：

Packaging： Cut Tape (CT)

Package / Case： DO-213AB, MELF (Glass)

Mounting Type： Surface Mount

Speed： Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Technology： Standard

Capacitance @ Vr, F： 8pF @ 4V, 1MHz

Current - Average Rectified (Io)： 1A

Supplier Device Package： DO-213AB

Operating Temperature - Junction： -65°C ~ 175°C

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)： 100 V

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If： 1.1 V @ 1 A

Current - Reverse Leakage @ Vr： 10 µA @ 100 V

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： SUPERECTIFIER®

零件状态： 在售

二极管类型： 标准

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 100 V

电流 - 平均整流 (Io)： 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.1 V 1 A

速度： 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 100 V

不同 Vr、F 时电容： 8pF 4V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： DO-213AB，MELF（玻璃）

供应商器件封装： DO-213AB

工作温度 - 结： -65°C # 175°C

温度：