锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

搜索 GKI040314 条相关记录
自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
GKI04031_晶体管-FET,MOSFET-单个
GKI04031
+1:

¥17.276014

+200:

¥6.895107

+500:

¥6.665635

+1000:

¥6.556362

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Sanken

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 17A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.5 毫欧 51A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 63.2 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3910 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.1W(Ta),77W(Tc)

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-DFN(5x6)

封装/外壳: 8-PowerTDFN

温度: 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
GKI04031_晶体管-FET,MOSFET-单个

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Sanken

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 17A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.5 毫欧 51A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 63.2 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3910 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.1W(Ta),77W(Tc)

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-DFN(5x6)

封装/外壳: 8-PowerTDFN

温度: 150°C(TJ)

GKI04031_晶体管-FET,MOSFET-单个
+1:

¥25.453402

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: 8-DFN (5x6)

GKI04031_晶体管-FET,MOSFET-单个

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: 8-DFN (5x6)

GKI04031参数规格

属性 参数值
品牌: Sanken
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 17A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.5 毫欧 51A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 63.2 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3910 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 3.1W(Ta),77W(Tc)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-DFN(5x6)
封装/外壳: 8-PowerTDFN
温度: 150°C(TJ)