品牌： GeneSiC Semiconductor

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： -

技术： SiC（碳化硅结晶体管）

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 240 毫欧 5A

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 20W（Tc）

工作温度： -55°C # 225°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： TO-46

封装/外壳： TO-46-3

温度： -55°C # 225°C（TJ）