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GB50MPS17-247_未分类
GB50MPS17-247

DIODE SIL CARB 1.7KV 216A TO247

未分类

+13:

¥328.596877

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: GeneSiC Semiconductor

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: SiC Schottky MPS™

零件状态: 不适用于新设计

二极管类型: 碳化硅肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1700 V

电流 - 平均整流 (Io): 216A(DC)

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.8 V 50 A

速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 0 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 60 µA 1700 V

不同 Vr、F 时电容: 3193pF 1V,1MHz

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-247-2

供应商器件封装: TO-247-2

工作温度 - 结: -55°C # 175°C

温度:

Digi-Key
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GB50MPS17-247_二极管整流器

DIODE SIL CARB 1.7KV 216A TO247

二极管整流器

+600:

¥517.745945

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: GeneSiC Semiconductor

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: SiC Schottky MPS™

零件状态: 不适用于新设计

二极管类型: 碳化硅肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1700 V

电流 - 平均整流 (Io): 216A(DC)

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.8 V 50 A

速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 0 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 60 µA 1700 V

不同 Vr、F 时电容: 3193pF 1V,1MHz

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-247-2

供应商器件封装: TO-247-2

工作温度 - 结: -55°C # 175°C

温度:

Mouser
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GB50MPS17-247_未分类
GB50MPS17-247

DIODE SIL CARB 1.7KV 216A TO247

未分类

+1:

¥614.771743

+10:

¥566.801874

+30:

¥548.707975

+120:

¥534.962224

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: GeneSiC Semiconductor

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: SiC Schottky MPS™

零件状态: 不适用于新设计

二极管类型: 碳化硅肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1700 V

电流 - 平均整流 (Io): 216A(DC)

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.8 V 50 A

速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 0 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 60 µA 1700 V

不同 Vr、F 时电容: 3193pF 1V,1MHz

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-247-2

供应商器件封装: TO-247-2

工作温度 - 结: -55°C # 175°C

温度:

艾睿
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GB50MPS17-247_未分类
GB50MPS17-247
授权代理品牌

Rectifier Diode Schottky SiC 1.7KV 216A 2-Pin(2+Tab) TO-247

未分类

+600:

¥383.450717

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

GB50MPS17-247参数规格

属性 参数值
品牌: GeneSiC Semiconductor
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: SiC Schottky MPS™
零件状态: 不适用于新设计
二极管类型: 碳化硅肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1700 V
电流 - 平均整流 (Io): 216A(DC)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.8 V 50 A
速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 0 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 60 µA 1700 V
不同 Vr、F 时电容: 3193pF 1V,1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-2
供应商器件封装: TO-247-2
工作温度 - 结: -55°C # 175°C
温度: