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Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
GC02MPS12-220_二极管整流器

SIC DIODE 1200V 2A TO-220-2

二极管整流器

+1:

¥50.861481

+10:

¥45.704496

+25:

¥43.20534

+100:

¥34.565973

+250:

¥32.644854

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: GeneSiC Semiconductor

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: SiC Schottky MPS™

零件状态: 在售

二极管类型: 碳化硅肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1200 V

电流 - 平均整流 (Io): 12A(DC)

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.8 V 2 A

速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 0 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 2 µA 1200 V

不同 Vr、F 时电容: 127pF 1V,1MHz

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-220-2

供应商器件封装: TO-220-2

工作温度 - 结: -55°C # 175°C

温度:

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
GC02MPS12-220_二极管与整流器
GC02MPS12-220

SIC DIODE 1200V 2A TO-220-2

二极管与整流器

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: GeneSiC Semiconductor

包装: 管件

封装/外壳: *

系列: SiC Schottky MPS™

零件状态: 在售

二极管类型: 碳化硅肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1200 V

电流 - 平均整流 (Io): 12A(DC)

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.8 V 2 A

速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 0 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 2 µA 1200 V

不同 Vr、F 时电容: 127pF 1V,1MHz

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-220-2

供应商器件封装: TO-220-2

工作温度 - 结: -55°C # 175°C

温度:

GC02MPS12-220参数规格

属性 参数值
品牌: GeneSiC Semiconductor
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: SiC Schottky MPS™
零件状态: 在售
二极管类型: 碳化硅肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1200 V
电流 - 平均整流 (Io): 12A(DC)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.8 V 2 A
速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 0 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 2 µA 1200 V
不同 Vr、F 时电容: 127pF 1V,1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-2
供应商器件封装: TO-220-2
工作温度 - 结: -55°C # 175°C
温度: