品牌： GeneSiC Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： SiC Schottky MPS™

零件状态： 在售

二极管类型： 碳化硅肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1200 V

电流 - 平均整流 (Io)： 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.8 V 1 A

速度： 无恢复时间 > 500mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 0 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 2 µA 1200 V

不同 Vr、F 时电容： 69pF 1V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

供应商器件封装： TO-252

工作温度 - 结： -55°C # 175°C

温度：

包装： Cut Tape (CT) Alternate Packaging

系列： -

安装类型： Surface Mount

工作温度-结： -55°C # 175°C

封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装： TO-252

包装： Digi-Reel® Alternate Packaging

系列： -

安装类型： Surface Mount

工作温度-结： -55°C # 175°C

封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装： TO-252

品牌： GeneSiC Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： SiC Schottky MPS™

零件状态： 在售

二极管类型： 碳化硅肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1200 V

电流 - 平均整流 (Io)： 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.8 V 1 A

速度： 无恢复时间 > 500mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： 0 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 2 µA 1200 V

不同 Vr、F 时电容： 69pF 1V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

供应商器件封装： TO-252

工作温度 - 结： -55°C # 175°C

温度：