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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	GF1KHE3/67A Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 800V 1A DO214BA 下载数据手册二极管整流器	+1：￥4.711014 +10：￥4.004374 +30：￥3.297734 +100：￥2.708827 +500：￥2.355507	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SUPERECTIFIER® 零件状态：停产二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 800 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.2 V 1 A 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 2 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 800 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214BA 供应商器件封装： DO-214BA（GF1）工作温度 - 结： -65°C # 175°C 温度：

自营现货库存

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	GF1KHE3/67A Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 800V 1A DO214BA 下载数据手册二极管整流器	+1：￥1.966909 +10：￥1.704654 +30：￥1.595381 +100：￥1.464254 +500：￥1.398691	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SUPERECTIFIER® 零件状态：停产二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 800 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.2 V 1 A 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 2 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 800 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214BA 供应商器件封装： DO-214BA（GF1）工作温度 - 结： -65°C # 175°C 温度：

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	GF1KHE3/67A Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 800V 1A DO214BA 下载数据手册二极管整流器	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SUPERECTIFIER® 零件状态：停产二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 800 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.2 V 1 A 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 2 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 800 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214BA 供应商器件封装： DO-214BA（GF1）工作温度 - 结： -65°C # 175°C 温度：

自营国内现货

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	GF1KHE3/67A Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 800V 1A DO214BA 下载数据手册二极管整流器	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SUPERECTIFIER® 零件状态：停产二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 800 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.2 V 1 A 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 2 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 800 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214BA 供应商器件封装： DO-214BA（GF1）工作温度 - 结： -65°C # 175°C 温度：

Digi-Key

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	GF1KHE3/67A Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 800V 1A DO214BA 下载数据手册二极管整流器	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SUPERECTIFIER® 零件状态：停产二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 800 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.2 V 1 A 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 2 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 800 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214BA 供应商器件封装： DO-214BA（GF1）工作温度 - 结： -65°C # 175°C 温度：
	GF1KHE3/67A Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 800V 1A DO214BA 下载数据手册二极管整流器	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	包装： Cut Tape (CT) Alternate Packaging 系列： SUPERECTIFIER® 安装类型： Surface Mount 工作温度-结： -65°C # 175°C 封装/外壳： DO-214BA 供应商器件封装： DO-214BA (GF1)
	GF1KHE3/67A Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 800V 1A DO214BA 下载数据手册二极管整流器	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	包装： Digi-Reel® Alternate Packaging 系列： SUPERECTIFIER® 安装类型： Surface Mount 工作温度-结： -65°C # 175°C 封装/外壳： DO-214BA 供应商器件封装： DO-214BA (GF1)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	GF1KHE3/67A Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 800V 1A DO214BA 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SUPERECTIFIER® 零件状态：停产二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 800 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.2 V 1 A 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 2 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 800 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214BA 供应商器件封装： DO-214BA（GF1）工作温度 - 结： -65°C # 175°C 温度：

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	GF1KHE3/67A VISHAY(威世) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1500：￥1.234833 +3000：￥1.206338 +4500：￥1.196838 +7500：￥1.177841 +15000：￥1.139845	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

GF1KHE3/67A参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	SUPERECTIFIER®
零件状态:	停产
二极管类型:	标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:	800 V
电流 - 平均整流 (Io):	1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):	1.2 V 1 A
速度:	标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr):	2 µs
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:	5 µA 800 V
不同 Vr、F 时电容:	-
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	DO-214BA
供应商器件封装:	DO-214BA（GF1）
工作温度 - 结:	-65°C # 175°C
温度: