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GI756-E3/54
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 600V 6A P600

+1:

¥3.267254

+10:

¥2.677181

+30:

¥2.425854

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

二极管类型: Standard

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V

电流 - 平均整流 (Io): 6A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV 6 A

速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢复时间 (trr): 2.5 µs

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA 600 V

不同 Vr、F 时电容: 150pF 4V, 1MHz

安装类型: Through Hole

封装/外壳: P600, Axial

供应商器件封装: P600

工作温度 - 结: -50°C # 150°C

温度:

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GI756-E3/54_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 600V 6A P600

二极管整流器

+1:

¥2.13807

+100:

¥1.944712

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

二极管类型: Standard

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V

电流 - 平均整流 (Io): 6A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV 6 A

速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢复时间 (trr): 2.5 µs

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA 600 V

不同 Vr、F 时电容: 150pF 4V, 1MHz

安装类型: Through Hole

封装/外壳: P600, Axial

供应商器件封装: P600

工作温度 - 结: -50°C # 150°C

温度:

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GI756-E3/54_二极管整流器
GI756-E3/54
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 600V 6A P600

二极管整流器

+1:

¥3.7257

+10:

¥3.113085

+400:

¥2.875541

+800:

¥2.663001

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

二极管类型: Standard

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V

电流 - 平均整流 (Io): 6A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV 6 A

速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢复时间 (trr): 2.5 µs

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA 600 V

不同 Vr、F 时电容: 150pF 4V, 1MHz

安装类型: Through Hole

封装/外壳: P600, Axial

供应商器件封装: P600

工作温度 - 结: -50°C # 150°C

温度:

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GI756-E3/54_二极管整流器
GI756-E3/54
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 600V 6A P600

二极管整流器

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

二极管类型: Standard

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V

电流 - 平均整流 (Io): 6A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV 6 A

速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢复时间 (trr): 2.5 µs

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA 600 V

不同 Vr、F 时电容: 150pF 4V, 1MHz

安装类型: Through Hole

封装/外壳: P600, Axial

供应商器件封装: P600

工作温度 - 结: -50°C # 150°C

温度:

Digi-Key
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GI756-E3/54_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 600V 6A P600

二极管整流器

+800:

¥6.534604

+1600:

¥5.158872

+2400:

¥4.814938

+5600:

¥4.574274

+20000:

¥4.402244

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

二极管类型: Standard

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V

电流 - 平均整流 (Io): 6A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV 6 A

速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢复时间 (trr): 2.5 µs

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA 600 V

不同 Vr、F 时电容: 150pF 4V, 1MHz

安装类型: Through Hole

封装/外壳: P600, Axial

供应商器件封装: P600

工作温度 - 结: -50°C # 150°C

温度:

GI756-E3/54_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 600V 6A P600

二极管整流器

+1:

¥11.375958

+10:

¥10.149883

+100:

¥7.910083

库存: 0

货期:7~10 天

包装: Cut Tape (CT) Alternate Packaging

系列: -

安装类型: Through Hole

工作温度-结: -50°C # 150°C

封装/外壳: P600, Axial

供应商器件封装: P600

Mouser
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GI756-E3/54_二极管与整流器
GI756-E3/54
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DIODE GEN PURP 600V 6A P600

二极管与整流器

+1:

¥14.4636

+10:

¥11.988718

+100:

¥9.706684

+500:

¥8.179971

+800:

¥6.187208

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

二极管类型: Standard

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V

电流 - 平均整流 (Io): 6A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV 6 A

速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢复时间 (trr): 2.5 µs

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA 600 V

不同 Vr、F 时电容: 150pF 4V, 1MHz

安装类型: Through Hole

封装/外壳: P600, Axial

供应商器件封装: P600

工作温度 - 结: -50°C # 150°C

温度:

艾睿
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GI756-E3/54_未分类
GI756-E3/54
授权代理品牌

Rectifier Diode Switching 600V 22A 2500ns 2-Pin Case P-600 T/R

未分类

+1:

¥11.198537

+10:

¥9.953925

+25:

¥9.854534

+100:

¥8.064014

+250:

¥7.982424

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

GI756-E3/54参数规格

属性 参数值
品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装: Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: Active
二极管类型: Standard
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V
电流 - 平均整流 (Io): 6A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV 6 A
速度: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢复时间 (trr): 2.5 µs
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA 600 V
不同 Vr、F 时电容: 150pF 4V, 1MHz
安装类型: Through Hole
封装/外壳: P600, Axial
供应商器件封装: P600
工作温度 - 结: -50°C # 150°C
温度: