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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	GF1D-E3/67A Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA 下载数据手册二极管整流器	+10：￥3.324475 +200：￥2.249269 +500：￥1.651045 +1500：￥1.196448 +3000：￥1.135827	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SUPERECTIFIER® 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.1 V 1 A 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 2 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214BA 供应商器件封装： DO-214BA（GF1）工作温度 - 结： -65°C # 175°C 温度：

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	GF1D-E3/67A Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SUPERECTIFIER® 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.1 V 1 A 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 2 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214BA 供应商器件封装： DO-214BA（GF1）工作温度 - 结： -65°C # 175°C 温度：

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	GF1D-E3/67A Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA 下载数据手册二极管整流器	+1500：￥1.079795 +3000：￥0.988743	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SUPERECTIFIER® 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.1 V 1 A 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 2 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214BA 供应商器件封装： DO-214BA（GF1）工作温度 - 结： -65°C # 175°C 温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	GF1D-E3/67A Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA 下载数据手册二极管整流器	+1500：￥2.641463 +3000：￥2.418727	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SUPERECTIFIER® 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.1 V 1 A 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 2 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214BA 供应商器件封装： DO-214BA（GF1）工作温度 - 结： -65°C # 175°C 温度：
	GF1D-E3/67A Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA 下载数据手册二极管整流器	+1：￥6.78655 +10：￥5.822861 +100：￥4.350179 +500：￥3.418523	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	包装： Cut Tape (CT) Alternate Packaging 系列： SUPERECTIFIER® 安装类型： Surface Mount 工作温度-结： -65°C # 175°C 封装/外壳： DO-214BA 供应商器件封装： DO-214BA (GF1)
	GF1D-E3/67A Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA 下载数据手册二极管整流器	+1：￥6.78655 +10：￥5.822861 +100：￥4.350179 +500：￥3.418523	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	包装： Digi-Reel® Alternate Packaging 系列： SUPERECTIFIER® 安装类型： Surface Mount 工作温度-结： -65°C # 175°C 封装/外壳： DO-214BA 供应商器件封装： DO-214BA (GF1)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	GF1D-E3/67A Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA 下载数据手册未分类	+1：￥6.830187 +10：￥5.860301 +100：￥4.384981 +500：￥3.442415 +1500：￥2.663773	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SUPERECTIFIER® 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.1 V 1 A 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 2 µs 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214BA 供应商器件封装： DO-214BA（GF1）工作温度 - 结： -65°C # 175°C 温度：

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	GF1D-E3/67A 授权代理品牌	Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-214BA T/R 下载数据手册未分类	+1500：￥1.776538 +4500：￥1.600642	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

GF1D-E3/67A参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	SUPERECTIFIER®
零件状态:	在售
二极管类型:	标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:	200 V
电流 - 平均整流 (Io):	1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):	1.1 V 1 A
速度:	标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr):	2 µs
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:	5 µA 200 V
不同 Vr、F 时电容:	-
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	DO-214BA
供应商器件封装:	DO-214BA（GF1）
工作温度 - 结:	-65°C # 175°C
温度: