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FZT751TA_双极性晶体管
授权代理品牌

TRANS PNP 60V 3A SOT-223

双极性晶体管

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¥1.230313

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¥1.135675

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¥1.059955

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 3 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 600mV 300mA,3A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 500mA,2V

功率 - 最大值: 2 W

频率 - 跃迁: 140MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA

供应商器件封装: SOT-223-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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FZT751TA_双极性晶体管
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TRANS PNP 60V 3A SOT-223

双极性晶体管

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 3 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 600mV 300mA,3A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 500mA,2V

功率 - 最大值: 2 W

频率 - 跃迁: 140MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA

供应商器件封装: SOT-223-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FZT751TA_双极性晶体管
FZT751TA
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TRANS PNP 60V 3A SOT-223

双极性晶体管

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库存: 1000 +

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品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

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零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 3 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 600mV 300mA,3A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 500mA,2V

功率 - 最大值: 2 W

频率 - 跃迁: 140MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA

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晶体管类型: PNP

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不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 500mA,2V

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安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA

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晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 3 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 600mV 300mA,3A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 500mA,2V

功率 - 最大值: 2 W

频率 - 跃迁: 140MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA

供应商器件封装: SOT-223-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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库存: 1000 +

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封装/外壳: *

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晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 3 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 600mV 300mA,3A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 500mA,2V

功率 - 最大值: 2 W

频率 - 跃迁: 140MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA

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温度: -55°C # 150°C(TJ)

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¥1.065037

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¥1.046725

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¥1.046725

库存: 1000 +

国内:1~2 天

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封装/外壳: *

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零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 3 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 600mV 300mA,3A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 500mA,2V

功率 - 最大值: 2 W

频率 - 跃迁: 140MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA

供应商器件封装: SOT-223-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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¥1.015194

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¥0.997608

库存: 1000 +

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晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 3 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 600mV 300mA,3A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 500mA,2V

功率 - 最大值: 2 W

频率 - 跃迁: 140MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA

供应商器件封装: SOT-223-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 3 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 600mV 300mA,3A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 500mA,2V

功率 - 最大值: 2 W

频率 - 跃迁: 140MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA

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双极性晶体管

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¥1.778918

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¥1.713033

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¥1.64715

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 3 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 60 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 600mV 300mA,3A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 500mA,2V

功率 - 最大值: 2 W

频率 - 跃迁: 140MHz

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安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA

供应商器件封装: SOT-223-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FZT751TA参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 3 A
电压 - 集射极击穿(最大值): 60 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 600mV 300mA,3A
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 500mA,2V
功率 - 最大值: 2 W
频率 - 跃迁: 140MHz
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA
供应商器件封装: SOT-223-3
温度: -55°C # 150°C(TJ)