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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FMMT417TD Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS NPN 100V 0.5A SOT23-3 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥56.403018 +10：￥51.74242 +30：￥50.8103 +100：￥48.013941	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 雪崩模式电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 100 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 25 10mA，10V 功率 - 最大值： 330 mW 频率 - 跃迁： 40MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FMMT417TD Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS NPN 100V 0.5A SOT23-3 下载数据手册双极性晶体管	+10：￥125.356 +100：￥93.753583 +200：￥72.685426 +500：￥52.670574 +2500：￥47.403565	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 雪崩模式电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 100 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 25 10mA，10V 功率 - 最大值： 330 mW 频率 - 跃迁： 40MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	FMMT417TD Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS NPN 100V 0.5A SOT23-3 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥72.021637 +10：￥63.094057 +30：￥53.79495 +100：￥49.238279	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 雪崩模式电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 100 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 25 10mA，10V 功率 - 最大值： 330 mW 频率 - 跃迁： 40MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FMMT417TD Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS NPN 100V 0.5A SOT23-3 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥63.428684	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 雪崩模式电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 100 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 25 10mA，10V 功率 - 最大值： 330 mW 频率 - 跃迁： 40MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FMMT417TD Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS NPN 100V 0.5A SOT23-3 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥50.0094	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 雪崩模式电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 100 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 25 10mA，10V 功率 - 最大值： 330 mW 频率 - 跃迁： 40MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FMMT417TD Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS NPN 100V 0.5A SOT23-3 下载数据手册双极性晶体管	+500：￥44.502115 +1500：￥43.760425 +2500：￥43.018734 +5000：￥42.277044	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 雪崩模式电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 100 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 25 10mA，10V 功率 - 最大值： 330 mW 频率 - 跃迁： 40MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FMMT417TD Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS NPN 100V 0.5A SOT23-3 下载数据手册双极性晶体管	+1000：￥47.064402 +3000：￥47.064402 +5000：￥47.064402 +6000：￥47.064402	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 雪崩模式电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 100 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 25 10mA，10V 功率 - 最大值： 330 mW 频率 - 跃迁： 40MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FMMT417TD Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS NPN 100V 0.5A SOT23-3 下载数据手册双极性晶体管	+2：￥85.0608 +10：￥75.955968	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 雪崩模式电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 100 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 25 10mA，10V 功率 - 最大值： 330 mW 频率 - 跃迁： 40MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FMMT417TD Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS NPN 100V 0.5A SOT23-3 下载数据手册双极性晶体管	+500：￥86.054823	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 雪崩模式电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 100 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 1mA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA（ICBO）不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 25 10mA，10V 功率 - 最大值： 330 mW 频率 - 跃迁： 40MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FMMT417TD Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS NPN 100V 0.5A SOT23-3 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥155.128162 +10：￥111.756531 +100：￥86.389865	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3

FMMT417TD参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
晶体管类型:	NPN 雪崩模式
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	500 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）:	100 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	500mV 1mA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）:	100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	25 10mA，10V
功率 - 最大值:	330 mW
频率 - 跃迁:	40MHz
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装:	SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）