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FZT789ATA_双极性晶体管
FZT789ATA
授权代理品牌

TRANS PNP 25V 3A SOT223-3

双极性晶体管

+20:

¥7.358373

+100:

¥4.976125

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¥3.652748

+1000:

¥2.646875

+2000:

¥2.514501

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 3 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 25 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 100mA,3A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 300 10mA,2V

功率 - 最大值: 2 W

频率 - 跃迁: 100MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA

供应商器件封装: SOT-223-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 现货库存
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FZT789ATA_未分类
FZT789ATA
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TRANS PNP 25V 3A SOT223-3

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¥3.890108

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¥3.179836

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¥2.830163

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 3 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 25 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 100mA,3A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 300 10mA,2V

功率 - 最大值: 2 W

频率 - 跃迁: 100MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA

供应商器件封装: SOT-223-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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FZT789ATA
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TRANS PNP 25V 3A SOT223-3

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 3 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 25 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 100mA,3A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 300 10mA,2V

功率 - 最大值: 2 W

频率 - 跃迁: 100MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA

供应商器件封装: SOT-223-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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FZT789ATA
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TRANS PNP 25V 3A SOT223-3

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¥1.890858

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¥1.730231

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¥1.703143

+10000:

¥1.691233

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 3 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 25 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 100mA,3A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 300 10mA,2V

功率 - 最大值: 2 W

频率 - 跃迁: 100MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA

供应商器件封装: SOT-223-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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TRANS PNP 25V 3A SOT223-3

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¥1.685453

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¥1.669924

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¥1.654505

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¥1.638977

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¥1.623558

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 3 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 25 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 100mA,3A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 300 10mA,2V

功率 - 最大值: 2 W

频率 - 跃迁: 100MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA

供应商器件封装: SOT-223-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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¥2.014365

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 3 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 25 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 100mA,3A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 300 10mA,2V

功率 - 最大值: 2 W

频率 - 跃迁: 100MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA

供应商器件封装: SOT-223-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
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FZT789ATA_双极性晶体管
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TRANS PNP 25V 3A SOT223-3

双极性晶体管

+1000:

¥2.249327

+2000:

¥2.003338

+5000:

¥1.897869

+10000:

¥1.757286

+25000:

¥1.739888

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 3 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 25 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 100mA,3A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 300 10mA,2V

功率 - 最大值: 2 W

频率 - 跃迁: 100MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA

供应商器件封装: SOT-223-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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TRANS PNP 25V 3A SOT223-3

双极性晶体管

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¥5.50245

+2000:

¥4.900696

+5000:

¥4.642691

+10000:

¥4.298788

+25000:

¥4.256226

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 3 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 25 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 100mA,3A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 300 10mA,2V

功率 - 最大值: 2 W

频率 - 跃迁: 100MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA

供应商器件封装: SOT-223-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FZT789ATA_双极性晶体管
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TRANS PNP 25V 3A SOT223-3

双极性晶体管

+1:

¥12.846061

+10:

¥11.174526

+100:

¥7.738591

+500:

¥6.465439

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-261-4, TO-261AA

供应商器件封装: SOT-223

Mouser
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+1:

¥12.202861

+10:

¥10.800233

+100:

¥8.275504

+500:

¥6.550272

+1000:

¥5.231802

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 3 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 25 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 100mA,3A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 300 10mA,2V

功率 - 最大值: 2 W

频率 - 跃迁: 100MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA

供应商器件封装: SOT-223-3

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FZT789ATA参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 3 A
电压 - 集射极击穿(最大值): 25 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 500mV 100mA,3A
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 300 10mA,2V
功率 - 最大值: 2 W
频率 - 跃迁: 100MHz
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA
供应商器件封装: SOT-223-3
温度: -55°C # 150°C(TJ)