品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 2 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 140 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.2V 10mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）： 10µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 2000 500mA，10V

功率 - 最大值： 2 W

频率 - 跃迁： 250MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

供应商器件封装： SOT-223-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 2 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 140 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.2V 10mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）： 10µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 2000 500mA，10V

功率 - 最大值： 2 W

频率 - 跃迁： 250MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

供应商器件封装： SOT-223-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 2 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 140 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.2V 10mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）： 10µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 2000 500mA，10V

功率 - 最大值： 2 W

频率 - 跃迁： 250MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

供应商器件封装： SOT-223-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 2 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 140 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.2V 10mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）： 10µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 2000 500mA，10V

功率 - 最大值： 2 W

频率 - 跃迁： 250MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

供应商器件封装： SOT-223-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 2 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 140 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.2V 10mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）： 10µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 2000 500mA，10V

功率 - 最大值： 2 W

频率 - 跃迁： 250MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

供应商器件封装： SOT-223-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 2 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 140 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.2V 10mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）： 10µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 2000 500mA，10V

功率 - 最大值： 2 W

频率 - 跃迁： 250MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

供应商器件封装： SOT-223-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 2 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 140 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.2V 10mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）： 10µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 2000 500mA，10V

功率 - 最大值： 2 W

频率 - 跃迁： 250MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

供应商器件封装： SOT-223-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 2 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 140 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.2V 10mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）： 10µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 2000 500mA，10V

功率 - 最大值： 2 W

频率 - 跃迁： 250MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

供应商器件封装： SOT-223-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： NPN - 达林顿

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 2 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 140 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 1.2V 10mA，1A

电流 - 集电极截止（最大值）： 10µA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 2000 500mA，10V

功率 - 最大值： 2 W

频率 - 跃迁： 250MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

供应商器件封装： SOT-223-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）