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搜索 FZT1151ATA 共 13 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FZT1151ATA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS PNP 40V 3A SOT-223 下载数据手册双极性晶体管	+10：￥6.912 +100：￥5.6304 +200：￥4.51584 +300：￥4.032 +500：￥3.74256	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 40 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 250 500mA，2V 功率 - 最大值： 2.5 W 频率 - 跃迁： 145MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FZT1151ATA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS PNP 40V 3A SOT-223 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥8.253936 +10：￥6.878304 +30：￥5.502672 +100：￥4.585536	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 40 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 250 500mA，2V 功率 - 最大值： 2.5 W 频率 - 跃迁： 145MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FZT1151ATA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS PNP 40V 3A SOT-223 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥6.665635 +10：￥5.616617 +30：￥5.092108 +100：￥4.578526	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 40 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 250 500mA，2V 功率 - 最大值： 2.5 W 频率 - 跃迁： 145MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FZT1151ATA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS PNP 40V 3A SOT-223 下载数据手册双极性晶体管	+1000：￥2.789262 +2000：￥2.527769 +5000：￥2.466918	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 40 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 250 500mA，2V 功率 - 最大值： 2.5 W 频率 - 跃迁： 145MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FZT1151ATA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS PNP 40V 3A SOT-223 下载数据手册双极性晶体管	+1000：￥3.582457	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 40 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 250 500mA，2V 功率 - 最大值： 2.5 W 频率 - 跃迁： 145MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FZT1151ATA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS PNP 40V 3A SOT-223 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥7.601039 +10：￥6.616642 +100：￥4.578068 +500：￥3.82544	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-4, TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FZT1151ATA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS PNP 40V 3A SOT-223 下载数据手册晶体管	+1：￥9.664142 +10：￥8.412556 +100：￥5.592529 +500：￥4.863758 +1000：￥4.5469	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 A 电压 - 集射极击穿（最大值）： 40 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 250mA，3A 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 250 500mA，2V 功率 - 最大值： 2.5 W 频率 - 跃迁： 145MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FZT1151ATA ON(安森美) 授权代理品牌	雙極結晶體管 - BJT 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FZT1151ATA 授权代理品牌	Trans GP BJT PNP 40V 3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R 下载数据手册未分类	+1000：￥4.965225 +2000：￥4.624446 +5000：￥4.366324 +10000：￥4.322821	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	FZT1151ATA Diodes Zetex 授权代理品牌	Trans GP BJT PNP 40V 3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R 下载数据手册未分类	+1：￥9.527894 +10：￥8.238285 +25：￥8.157487 +100：￥5.405583 +250：￥4.672058	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FZT1151ATA参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
晶体管类型:	PNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	3 A
电压 - 集射极击穿（最大值）:	40 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	300mV 250mA，3A
电流 - 集电极截止（最大值）:	100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	250 500mA，2V
功率 - 最大值:	2.5 W
频率 - 跃迁:	145MHz
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装:	SOT-223-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）