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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FZT458TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS NPN 400V 0.3A SOT223-3 下载数据手册双极性晶体管	+5：￥5.023296 +50：￥3.348864 +150：￥2.79072	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 300 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 400 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 6mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 50mA，10V 功率 - 最大值： 2 W 频率 - 跃迁： 50MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FZT458TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS NPN 400V 0.3A SOT223-3 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥2.804277 +10：￥2.321143 +30：￥2.111085 +100：￥1.848512 +500：￥1.73298	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 300 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 400 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 6mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 50mA，10V 功率 - 最大值： 2 W 频率 - 跃迁： 50MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FZT458TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS NPN 400V 0.3A SOT223-3 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥1.89728 +100：￥1.707552	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 300 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 400 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 6mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 50mA，10V 功率 - 最大值： 2 W 频率 - 跃迁： 50MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FZT458TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS NPN 400V 0.3A SOT223-3 下载数据手册双极性晶体管	+1000：￥2.02799 +2000：￥1.837866 +5000：￥1.793623	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 300 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 400 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 6mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 50mA，10V 功率 - 最大值： 2 W 频率 - 跃迁： 50MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FZT458TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS NPN 400V 0.3A SOT223-3 下载数据手册双极性晶体管	+1000：￥3.50436 +2000：￥3.175826 +5000：￥3.099374	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 300 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 400 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 6mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 50mA，10V 功率 - 最大值： 2 W 频率 - 跃迁： 50MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FZT458TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS NPN 400V 0.3A SOT223-3 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥8.264999 +10：￥7.231874 +100：￥5.541196 +500：￥4.38045	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-4, TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223
	FZT458TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS NPN 400V 0.3A SOT223-3 下载数据手册双极性晶体管	+1：￥8.264999 +10：￥7.231874 +100：￥5.541196 +500：￥4.38045	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-4, TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FZT458TA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS NPN 400V 0.3A SOT223-3 下载数据手册未分类	+1：￥9.36665 +10：￥8.195819 +100：￥6.281166 +500：￥4.97259 +1000：￥3.967051	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 300 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 400 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 500mV 6mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 100 50mA，10V 功率 - 最大值： 2 W 频率 - 跃迁： 50MHz 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FZT458TA 授权代理品牌	Trans GP BJT NPN 400V 0.3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R 下载数据手册未分类	+1000：￥2.998232 +2000：￥2.805685 +5000：￥2.733644 +10000：￥2.670771	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FZT458TA参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
晶体管类型:	NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	300 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）:	400 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	500mV 6mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）:	100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	100 50mA，10V
功率 - 最大值:	2 W
频率 - 跃迁:	50MHz
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装:	SOT-223-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）